碳化硅涂层

碳化硅涂层是指采用物理或化学气相沉积、喷涂等方法在零件表面制备SIC涂层的方法。

制备涂层的原因

编辑播报

SiC具有优异的物理化学性能，如高熔点、高硬度、耐腐蚀、抗氧化等，特别是在1800-2000℃范围，具有良好的抗烧蚀性能，因此，在航空航天、兵器装备等领域具有广阔的应用前景。但SiC本身不能作为结构材料使用，所以通常采用制备涂层的方法，以利用其耐磨性以及抗烧蚀性。

制备涂层的常见方法

编辑播报

1、化学气相沉积（CVD） [1]

将需制备SiC涂层的试样放入反应管中，以MTS为先驱体原料，在950-1300℃、负压条件下沉积SiC涂层在试样表面。

2、先驱体转化法（PIP） [2]

将试样进行预处理后，放入浸渍罐中，对浸渍罐抽真空，再注入浸渍溶液，加压浸渍，减压取出试样。在炉中进行裂解，炉冷至室温取出，即可在试样表面实现SiC涂层。这里的浸渍溶液是陶瓷先驱体为主要成分的溶液。

上一篇： TaC复合材料

下一篇：半导体行业动态

硅基半导体制程系列

2~4寸多片石墨盘

4寸多片石墨盘

6寸多片石墨盘

Skirts 盘

PECVD舟架

ICP刻蚀盘

碳化硅基半导体制程系列

SiC单晶生产TaC涂层坩埚

TaC涂层托盘

TaC涂层喷管

TaC涂层隔热屏

Solid SiC 盘、环

Solid SiC 载片器

4寸多片石墨盘（CVD SiC涂层）

6寸单片石墨盘（CVD SiC涂层）

PECVD舟架（CVD SiC涂层）

SiC芯片外延成套石墨零部件（CVD SiC涂层）CVD SiC涂层石墨发热体

SiC陶瓷刻蚀盘（CVD SiC涂层）

光伏制程系列

SiC涂层C/C导流筒

SiC涂层C/C坩埚

SiC涂层C/C盖板

SiC涂层C/C隔热屏

PECVD舟架

CVD SiC涂层石墨片（C/C片）

航天航空抗烧蚀涂层材料

SiC涂层抗氧化耐烧蚀材料

TaC涂层超高温耐烧蚀材料

HfC涂层超高温耐烧蚀

ZrC涂层超高温耐烧蚀

LED、Micro/Mini LED制程系列

2~4寸多片石墨盘

4寸多片石墨盘

6寸多片石墨盘

Skirts 盘

湘ICP备2022004527号

湘公网安43020402000184号